杨德仁
    杨德仁,1964年4月出生,江苏扬州人。半导体材料学家。 中国科学院院士,新质生产力与创新战略研究院院长、浙江大学材料科学与工程学院、博士生导师,半导体材料研究所所长,硅材料国家重点实验室(浙江大学)学术委员会主任,浙大宁波理工学院院长。
    1985年毕业于浙江大学金属材料专业,1991年获半导体材料工学博士学位。1997年起担任浙江大学教授,2000年获聘教育部长江学者计划特聘教授,曾在日本、德国和瑞典访问工作,2017年当选中国科学院院士
    长期从事半导体硅材料研究,提出了掺氮控制极大规模集成电路用直拉硅单晶微缺陷的思路,系统解决了氮关缺陷的基础科学问题;提出了微量掺锗控制晶格畸变的思路,发明了微量掺锗硅晶体生长系列技术,系统解决了相关硅晶体的基础科学问题;研究了纳米硅等的制备、结构和性能,成功制备出纳米硅管等新型纳米半导体材料。